第331章 流片成功！（2/2）

【我查了771所这批机器的资料——核心问题是束流电流太低导致注入时间过长，硅片在真空腔里受热不均匀！】

【解法很简单但很反直觉——把束流电流提上去！10A！加速电压拉到50keV！让注入时间缩短，减少热积累！】

【最关键的一步：真空度！必须拉到10的负5次方帕斯卡！不然残余气体会和离子束发生散射，杂质分布肯定不均匀！】

【对！这台老机器的分子泵其实能达到这个真空度，但出厂预设太保守了，得手动调旁通阀把抽速拉满！】

林希睁开眼。

“苏师傅。”

苏佩兰回头。

“束流电流调到10毫安。”

“加速电压拉到50千电子伏特。”

苏佩兰愣了一下。

“电流10毫安？”

“这台机器设计上限才8……”

“旁通阀全开，把真空度拉到10的负5次方帕。”

林希的声音很稳，

“抽速够了以后，束流不会散。”

苏佩兰看了看旁边的王铁山。

王铁山沉默了几秒，走到机器后面。

蹲下去看了看分子泵的参数铭牌。

“能拉到。”

他直起腰，

“负5次方没问题，就是没人敢这么用。”

“那就用。”林希。

王铁山没再犹豫。

他抱着扳手绕到机器背面，拧开旁通阀。

苏佩兰深吸一口气，坐回操作台。

束流电流：10A。

加速电压：50keV。

真空度读数开始往下掉。

10的负3次方。

负4次方。

分子泵的声音变得尖锐。

负5次方。

稳住了。

“注入。”林希。

苏佩兰按下启动键。

机器轰鸣声骤然变调，像一头沉睡的野兽被唤醒。

离子束击中硅片表面。

六十秒。

一百二十秒。

注入结束。

苏佩兰取出硅片，双手端着，走到显微镜前。

车间里所有人的呼吸都停了。

她把硅片放上载物台，调焦。

看了三秒。

又调了一下倍率。

再看了五秒。

她抬起头。

嘴唇哆嗦了两下。

“均匀的。”

她的声音带着哭腔。

“深度完全一致。”

王铁山冲过去，把她从椅子上挤开，自己趴到目镜上看。

看完，他直起腰，一屁股坐在了地上。

“成了。”

两个字。

直播间弹幕彻底爆炸。

【流片成功！！！华国硅基芯片流片成功了！！！】

【1983年！自主光刻机+自主离子注入！流片流程打通！】

【这帮老师傅是真的牛，参数给到位了，手上的活一点不含糊】

【哭了哭了，跪在地上画版图，趴在机器前调参数，这就是华国芯片的第一步】

林希站在车间中央。

周围是沸腾的欢呼声。

林希转头看向窗外。

七月底的津门，太阳正。

晚霞把整个二厂的厂房染成暗红色。

司徒渊不知道什么时候走到他旁边。

两人并排站着，看着窗外。

“林总。”司徒渊开口。

“嗯。”

“流片成功了，但这只是工程样片。”

司徒渊推了推眼镜。

“量产之前，还差最后一步，”

“封装，测试。”